掲載日 ・ 2026/04/22

三菱ケミカル株式会社

三菱ケミカル株式会社:【茨城】化合物半導体GaN加工製造プロセス開発担当者(リーダー候補~リーダー)

603~997万円
茨城県

三菱ケミカル

化学・素材

研究・要素技術開発(半導体)

600万~

会社名

三菱ケミカル株式会社

会社概要

機能商品、素材他

ポジション

【茨城】化合物半導体GaN加工製造プロセス開発担当者(リーダー候補~リーダー)

仕事内容

世界が注目される次世代パワー半導体「窒化ガリウム(GaN)」の「量産化」をリードしませんか?

【職務内容】
次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
本ポジションでは、GaN結晶のスライス、研削、研磨などの加工工程を通じたGaN基板製造において、
製造ラインの条件最適化や技術課題の検討・改善をご担当いただきます。
具体的には以下業務を担当いただきます。

◇化合物半導体の加工成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計
 次世代パワー半導体(GaN)ウエハ加工プロセスの確立をリードします。
 加工工程(スライス・研削・研磨)の生産性向上や新規技術の開発、
 生産計画作成・進捗管理などの生産管理、保全管理まで幅広くご担当いただき
 モノづくりの進化をダイナミックに体感できます。

◇化合物半導体の加工プロセスのモデリング技術開発、最適化
 実機を用いた実践的なパラメーター調整により、加工プロセスを最適化します。
 スライシングやCMP研磨などの技術を駆使し、品質向上と大口径化を実現する
 量産技術の最前線でご活躍いただけます。

◇化合物半導体の評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
 加工後の表面状態や形状の評価データとプロセスデータを紐付け、高度な解析を行います。
 導き出した知見を製造条件へダイレクトにフィードバックし、
 世界最高水準のウエハー品質を自らの手で作り上げます。

◇化合物半導体の加工技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
 SiC等、他材料の精密加工知見も存分に活かせる環境です。国内外の協力会社や最先端の装置メーカーと連携し、
 世界で勝てる次世代GaNウエハーの量産ラインを自らデザイン・構築する醍醐味があります。

【募集の背景】
当社が手掛ける「窒化ガリウム(GaN)基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV(電気自動車)やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。

【将来的に従事する可能性のある職務内容】
会社の定める職務

求める経験・スキル

【必須要件】
・下記のいずれかの実務経験(GaNに関する経験は特に歓迎)
 - 半導体材料(GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等)の成形加工の技術開発経験
 - 半導体材料(GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等)の結晶スライス・研削・研磨加工技術検討経験
 - 半導体材料(GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等)の製造管理経験
 - 半導体/電子材料/化合物半導体いずれかの製造プロセス開発・生産技術・工程改善の実務経験
 - 半導体/電子材料/化合物半導体いずれかの微細加工/精密加工プロセスへの関与経験
・下記の能力を保有している方
 - 半導体材料の加工技術の専門知識を有する
 - 製造スタッフとして運転員の管理・指導できる

【歓迎要件】
・ご経験:化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション
・専攻:物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
・語学力:英語

労働条件

雇用形態

正社員

年収

603~997万円

勤務地

茨城県

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