会社名

三菱ケミカル株式会社

会社概要

機能商品、素材他

ポジション

【茨城】化合物半導体GaNウエハ加工技術開発担当者（リーダー）

仕事内容

【職務概要】
本ポジションは次世代パワー半導体である化合物半導体GaNの加工技術開発・確立をご担当いただきます。
現在、設置されている装置を最適化させて歩留まり改善を行っていくだけでなく。
社外の新技術導入も含め製造装置を導入し、生産技術向上を目指していただきます。
具体的には、以下業務項目を担当いただきます。

＜担当業務項目＞
化合物半導体GaNのウエハ加工技術の開発業務を中心に、
ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。

◇要素プロセスの開発・条件最適化
　：研磨・スライシング・CMP（化学的機械的研磨）工程などにおけるGaN特有の最適条件を確立します。

◇新規プロセスフローの構築
　：デバイス設計部門と連携し、要求される特性や信頼性を満たすための新しい加工プロセスを設計します。

◇歩留まり向上・不良解析
　：試作段階や量産立ち上げ時における欠陥や特性ばらつきの発生メカニズムを解明し、プロセス改善による歩留まり向上を図ります。

◇量産化技術の確立（スケールアップ）
　：大口径ウエハ（例：6インチから8インチへの移行）に伴い量産ラインへの安定的な移管に向けた技術開発を行います。

◇新規装置の導入・評価
　：装置メーカーと協業し、次世代デバイス製造に向けた最新の加工装置のスペック策定、デモ評価、導入決定および立ち上げを行います。

【技術的なやりがい】
GaNは、シリコンよりも硬く、SiCよりも高い破壊靭性(ヒビを入れることが出来ても、伸ばして破壊することが困難)という機械物を有する材料であり、結晶のスライス、研削、研磨といった機械加工が極めて困難な素材です。さらに、シリコン/SiCウエハよりも化学的に安定傾向であるため、表面酸化や、酸化層の除去が難しく、CMP(ウエハの表面を化学的・機械的に平坦化する工程)や洗浄も困難である、加工の視点からは非常に加工の難しい素材です。こうした加工の難しい材料であるからこそ、技術的な難易度の高さと同時に、どのように課題を解決していくかを考える面白さがあり、その成果が量産化という形で目に見えて現れていく点に、大きなやりがいを感じていただけるポジションです。

【GaN事業の魅力】
「GaN」基板の安定供給体制を構築するとともに、近年需要が増加するパワーデバイス用途に適用可能な６～８インチ基板の開発にも取り組んでいます。レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。未来の社会を支える材料として重要な位置づけを持つ高品質な「GaN」基板の供給を通じ、燃費・発電効率向上といったエネルギーミニマム社会への貢献に携わることができます。

【配属部署の紹介】
プロジェクターやレーザーテレビに使われるレーザーダイオードに欠かせない材料である窒化ガリウム基板は、サーバーの電源やEV用のパワーデバイス、高速モバイル通信用の高周波デバイスなどに活用の場を広げつつあります。当社はパワーエレクトロニクス用の品質も満たす大口径・高品質のGaN基板を供給する世界でも数少ないプレイヤーのひとつで、GHG削減、次世代高速通信などの実現における役割に大きく期待されています。GaN結晶成長技術等の基礎的な検討から、基板製造の量産技術検討まで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。

【将来的に従事する可能性のある職務内容】
会社の定める職務

求める経験・スキル

【必須条件】
・経験職種（年数）・経験内容：半導体を対象とした加工技術の検討経験あるいは半導体基板加工装置メーカーでの開発経験

【歓迎要件】
・経験業界（年数）：３年以上
・経験職種（年数）・経験内容：半導体基板のスライス、ラップ、研削、研磨、レーザー加工等の技術開発経験
・経験補足：半導体基板加工装置メーカー経験者、SiC基板加工経験者歓迎
・語学力：英語