掲載日 ・ 2026/07/22

三菱ケミカル株式会社

三菱ケミカル株式会社:【茨城】次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発担当者(リーダー候補~リーダー)

749~1,399万円
茨城県

三菱ケミカル

化学・素材

研究・要素技術開発

700万~

会社名

三菱ケミカル株式会社

会社概要

機能商品、素材他

ポジション

【茨城】次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発担当者(リーダー候補~リーダー)

仕事内容

【職務概要】
次世代パワー半導体である窒化ガリウム(GaN)の気相法による結晶成長技術開発をご担当いただきます。
中長期的な視点に立ち、特に次世代製品(大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板 等)の新製品開発に重きを置いた、挑戦的かつ自由度の高い開発業務をお任せします。

<担当業務項目>
GaNの結晶成長技術の開発業務を中心に、ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
本ポジションは中長期の技術開発・新製品創出を担う"攻めの研究開発"を行うポジションです。

◇新製品の結晶成長技術開発
 :大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる開発業務を行います。

◇既存製品の歩留り改善や、品質安定化
 :結晶成長起因の歩留り低下や品質不良に関する不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図ります。

【このポジションの魅力】
脱炭素・省エネ社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN(窒化ガリウム)」。
本ポジションでは、その心臓部となる高品質GaN基板の"結晶成長技術"の開発を、最前線でリードしていただきます。
「より大口径に」「より高品質に」「より低コストに」――まだ世界の誰も到達していない領域に挑み、自らの技術が製品となり社会を動かしていく手応えを味わえる、研究開発職ならではのやりがいに満ちたポジションです。

【仕事の面白さ・成長機会】
・結晶成長は「材料の根幹」を司る奥深い技術領域。装置・プロセス・解析・品質まで幅広い知見が身につき、化合物半導体のスペシャリストとして市場価値の高いキャリアを築けます。
・基礎検討から量産化まで開発の全工程に関与でき、自らのアイデアを製品として世に送り出す達成感を得られます。
・社内の加工・デバイス部門や生産現場とも連携し、技術の上流から下流までを俯瞰できる環境です。

【GaN事業の魅力・将来性】
会社としての注力(戦略)事業です。データセンター・パワーエレクトロニクス用途、レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続しています。未来の社会を支える基幹材料として重要な位置づけを持つ高品質な「GaN」基板の供給を通じ、燃費・発電効率向上といったエネルギーミニマム社会への実現に、技術者として直接貢献できます。

【配属組織・働く環境】
・半導体前工程グループにて、結晶成長・ウエハ加工等の開発メンバーと協働いただきます。30~40代を中心とした比較的若く、風通しの良い活気あるチームです。
・経験者の方は即戦力として、関連分野出身の若手の方も先輩のサポートのもと着実に成長いただける、挑戦を歓迎する風土です。

【募集背景詳細】
GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集

【テレワークの利用頻度】
必要に応じ

【将来的に従事する可能性のある職務内容】
会社の定める職務

求める経験・スキル

【必須条件】
・学歴:学士以上
・経験職種(年数)・経験内容:化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験

【歓迎要件】
・学歴:修士以上
・専攻:物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学(特に化合物半導体の結晶成長を専攻していた方)
・経験業界(年数):3年以上
・経験職種(年数)・経験内容:GaN(窒化ガリウム)の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験(即戦力として特に歓迎)
・語学力:英語

労働条件

雇用形態

正社員

年収

749~1,399万円

勤務地

茨城県

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